Los dispositivos semiconductores SiC y GaN en la electrónica de potencia.

Los dispositivos electrónicos basados en materiales semiconductores de banda prohibida ancha (wide-bandgap semiconductors) han irrumpido con fuerza en el mundo de la electrónica de potencia en la última década.

En esta charla empezaremos por tratar de explicar cuáles son las ventajas y limitaciones que dos de estos materiales (el carburo de silicio, SiC, y el nitruro de galio, GaN) presentan en comparación con el silicio. A continuación pasaremos a describir los dispositivos electrónicos de potencia que han sido desarrollados en la actualidad, explicando por qué además de haberse desarrollados versiones adaptadas de dispositivos habituales en silicio (como diodos y MOSFETs), se han desarrollados otros específicos, como JFETs y HEMTs (High Electron Mobility Transistors), a veces con comportamientos muy distintos a los habituales. Resulta muy importante que estas diferencias sean conocidas y tenidas en cuenta por los diseñadores.

Agenda:
 

10:00 - 10:05 | Bienvenida y presentación general
10:05 - 10:10 | Presentación de conferencista
10:10 - 11:00 Conferencia
11:00 - 11:30 | Sesión de preguntas y respuestas
 

Más información en http://conferencias.cenidet.tecnm.mx.